[发明专利]剥离方法

摘要

本发明提供剥离方法，能均匀破坏缓冲层，可靠地剥离外延基板。该剥离方法将在外延基板正面隔着由Ga化合物构成的缓冲层而层叠了光器件层的光器件晶片的光器件层转移到转移基板，包括转移基板接合工序，在光器件层的表面接合转移基板；缓冲层破坏工序，从外延基板的背面侧向缓冲层照射脉冲激光光线，破坏缓冲层；光器件层转移工序，从光器件层剥离外延基板而将光器件层转移到转移基板，缓冲层破坏工序包括Ga层形成工序，照射具有第1输出的脉冲激光光线而使Ga从Ga化合物析出，在外延基板与缓冲层的边界面形成Ga层；气体层形成工序，照射具有比第1输出高的第2输出的脉冲激光光线来破坏Ga层正下方的Ga化合物，在Ga层与外延基板之间形成气体层。

主权项

一种剥离方法，将光器件晶片的光器件层转移到转移基板上，所述光器件晶片是在外延基板的正面隔着由含有Ga的Ga化合物构成的缓冲层而层叠了光器件层，其特征在于，该剥离方法包括：转移基板接合工序，在光器件晶片的光器件层的表面上隔着接合金属层而接合转移基板；缓冲层破坏工序，从接合有转移基板的光器件晶片的外延基板的背面侧向缓冲层照射对于外延基板具有透射性且对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线，破坏缓冲层；以及光器件层转移工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，从光器件层剥离外延基板而将光器件层转移到转移基板上，该缓冲层破坏工序包括：Ga层形成工序，照射具有第1输出的脉冲激光光线，使得Ga从Ga化合物中析出而在外延基板与缓冲层之间的边界面处形成Ga层；以及气体层形成工序，照射具有比该第1输出高的第2输出的脉冲激光光线来破坏Ga层正下方的Ga化合物，在Ga层与外延基板之间形成气体层，将具有该第1输出的脉冲激光光线的能量密度设定为0.125J/cm2～0.5J/cm2，将具有该第2输出的脉冲激光光线的能量密度设定为0.55J/cm2～1.0J/cm2。