[发明专利]一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310140267.6 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103172382A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张幸红;李宁;胡平;韩文波;金鑫鑫;洪长青 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，它涉及一种抗超高温度氧化损伤的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料在超高温度(＞1700°C）下存在氧化层的稳定性差的问题。制备方法:一、制备二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料;二、氧化抑制处理;即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。本发明可用于制备抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 温度 氧化 损伤 二硼化锆 碳化硅 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于抗超高温度氧化损伤的二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法是按以下步骤进行的:一、制备二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料:按重量份数称取70~90份的二硼化锆粉末和30~10份的碳化硅粉末，并将二硼化锆粉末与碳化硅粉末进行球磨湿混，得到料浆，然后将所得料浆通过旋转蒸发器在温度为50°C~90°C条件下干燥1小时~4小时，得到烘干后的混合粉料，最后将得到的烘干后的混合粉料在真空或惰性气体气氛下于1700°C~l900°C温度下热压烧结，热压压力为3OMPa，保温时间为20分钟~60分钟，自然冷却至室温后取出，即得二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料;二、氧化抑制处理:将步骤一制备的二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料置于氧化抑制处理装置中，充入纯氧或空气，控制气体流量为lmL/min~500mL/min，然后通过氧化抑制处理装置的流量计(1)和真空泵(10)控制氧化抑制处理装置反应室中的气体压力为lPa~10000Pa，最后利用氧化抑制处理装置的电磁感应加热设备将二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料加热至1400°C‑1700°C，然后进行保温，保温时间为1分钟~180分钟，即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆‑碳化硅陶瓷基复合材料。
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