[发明专利]193纳米P光大角度减反射薄膜元件及其制备方法无效
| 申请号： | 201310140555.1 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103245984A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 193纳米P光大角度减反射薄膜元件及其制备方法，属于ArF准分子激光应用技术领域，解决了193纳米P光74°入射三棱镜扩束棱镜组时光学损耗严重、并导致ArF准分子激光器的光束质量和输出效率大大降低的问题。本发明的薄膜元件包括在CaF2基底上依次交替形成的MgF2薄膜层和LaF3薄膜层；MgF2薄膜层共四层，LaF3薄膜层共三层，每层LaF3薄膜层的厚度为29.7-30.3nm。本发明能够实现P偏振态ArF激光74°入射三棱镜扩束棱镜组时具有较低的反射率，大大提高了ArF激光器的输出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 193 纳米 光大 角度 反射 薄膜 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
193纳米P光大角度减反射薄膜元件，其特征在于，该薄膜元件包括：在CaF2基底上依次交替形成的MgF2薄膜层和LaF3薄膜层；MgF2薄膜层共为四层，LaF3薄膜层共为三层，每层LaF3薄膜层的厚度为29.7‑30.3nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310140555.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：生物质燃料环保节能炉及余热回收方法
- 下一篇：一种压缩机隔音罩
