[发明专利]一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310141142.5 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103232240A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 周迪;庞利霞;郭靖;姚熹 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料组成表达式为Bi1-x/3(MoxV1-x)O4，其中0.02≤x≤0.95。本发明的钼基低温烧结微波介质陶瓷，具有以下特点：相对介电常数可调（24.5～74），微波性能良好（Qf=7200GHz～10700GHz），烧结温度较低（620～840℃），谐振频率温度系数可调（-380～+135ppm/℃），化学组成简单。本发明采用了固相反应烧结的方法，工艺操作简单，环境友好，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钼基低温烧结微波介质陶瓷材料，其特征在于，该陶瓷材料的组成表达式为：Bi1‑x/3(MoxV1‑x)O4，其中0.02≤x≤0.95。
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