[发明专利]一种复合式化学气相沉积碳化硅装置有效
| 申请号： | 201310142519.9 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103723731A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;刘勇 | 申请（专利权）人： | 太仓派欧技术咨询服务有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种复合式化学气相沉积碳化硅装置，该装置由用于进行化学气相沉积的主反应炉11以及用于消除多余三氯甲基硅烷的辅反应炉12，主反应炉11可为一台，两台或三台，每台主反应炉11均与辅反应炉12之间由管道13单独连通，辅反应炉12与真空系统16直接连通，辅反应炉内填充多孔碳毡15，沉积时主反应炉11与辅反应炉12气压均在100Pa以下。该装置能使得炉体与管道中残余的三氯甲基硅烷含量很低；真空泵油中粉尘颗粒含量减少，延长了真空泵油使用时间，节约成本；同时，制备的碳化硅涂层质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 化学 沉积 碳化硅 装置 | ||
【主权项】：
一种复合式化学气相沉积碳化硅装置，其特征在于包括用于进行化学气相沉积的主反应炉以及用于消除多余三氯甲基硅烷的辅反应炉，主反应炉与辅反应炉有连通管道，辅反应炉直接与真空系统相连通。
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