[发明专利]一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201310142935.9 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103227247A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 贾锐;丁武昌;陈晨;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括：在p型晶体硅衬底背表面进行硼扩散形成p+p结构，形成硼的重掺背场；在p型晶体硅衬底前表面淀积本征纳米硅薄膜；在本征纳米硅薄膜上淀积n型非晶硅薄膜；在衬底背表面淀积富氢非晶碳化硅薄膜；在n型非晶硅薄膜上生长ITO；在ITO上电子束蒸镀银电极；在富氢非晶碳化硅薄膜上热蒸镀或丝印浆形成铝层；以及进行激光烧结。本发明能与现有工艺结合，不增加设备成本，相比传统的异质结电池，本发明利用非晶硅作为窗口层，提高电池的稳定性，引入的本征纳米硅层可进行良好的表面钝化，提高开路电压，相比传统铝背场更好的钝化效果和更好的长波响应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 晶体 硅异质结 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在p型晶体硅衬底背表面进行硼扩散形成p+p结构，形成硼的重掺背场；在p型晶体硅衬底前表面淀积本征纳米硅薄膜；在本征纳米硅薄膜上淀积n型非晶硅薄膜；在衬底背表面淀积富氢非晶碳化硅薄膜；在n型非晶硅薄膜上生长ITO；在ITO上电子束蒸镀银电极；在富氢非晶碳化硅薄膜上热蒸镀或丝印浆形成铝层；以及进行激光烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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