[发明专利]一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管有效
| 申请号： | 201310144195.2 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103219439A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 曹冰;邢贺;张桂菊;王钦华;俞强;何舜宇 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由工作区衬底n型区、p型区、量子阱和纳米颗粒阵列结构组成的。本发明的主要特征是在LED的出光表面上直接制备纳米颗粒阵列，由纳米颗粒构成线光栅的偏振结构，以获得偏振出光，其光栅周期为50～400nm,占空比为0.2～0.9，厚度为50～400nm纳米，纳米颗粒的直径为5～200nm。与现有技术线光栅偏振器相比，本发明提供的偏振出光发光二极管制备简便，降低成本，且具有良好的偏振消光比和透过率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 颗粒 阵列 偏振 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种偏振出光发光二极管，它的发光二极管芯片包括：衬底，n型层，量子阱，p型层，其特征在于：在发光二极管芯片的p型层的出光表面上设置偏振结构，所述的偏振结构为纳米颗粒阵列光栅，其光栅的周期为60～400nm, 占空比为0.2～0.9，厚度为60～400nm。
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