[发明专利]一种低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201310144548.9 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103204679A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 孙兆海;马涛 | 申请（专利权）人： | 淄博宇海电子陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/493 | 分类号： | C04B35/493;C04B35/622 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255202 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料及其制备方法，属于压电陶瓷材料领域。其特征在于包括主体成分和附加成分，主体成分组成式为Pb[(Sb2/5Nb3/5)xZryTi1-x-y]O3，其中0.008≤x≤0.015，0.47≤y≤0.51；附加成分为占主体成分质量百分比0.98~1.63%的SnO2。并在选料、预烧成型后在1060~1120℃的条件下烧结。本发明通过以复合离子组合（Sb2/5Nb3/5）对锆钛酸铅的配方中的锆（Zr）和钛（Ti）进行取代调整及添加少量的锡（Sn）元素进行掺杂改性，所需烧结温度低，PZT压电陶瓷材料的老化率也大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 老化 pzt 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温烧结且老化率低的PZT压电陶瓷材料，其特征在于包括主体成分和附加成分，主体成分组成式为Pb[(Sb2/5Nb3/5)xZryTi1‑x‑y]O3，其中0.008≤x≤0.015，0.47≤y≤0.51；附加成分为占主体成分质量百分比0.98~1.63%的SnO2。
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