[发明专利]一种半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201310145232.1 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104124197B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，所述方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属互联结构；对所述金属互联结构中金属材料和层间介质层的表面进行处理，所述处理方法包括以下子步骤（a）选用NH3等离子体进行处理；（b）选用SiH4等离子体进行处理；（c）选用四甲基硅烷等离子体进行处理。本发明中为在制备金属互联结构时，填充金属铜并平坦化，然后对所述金属铜以及超低K材料的表面进行处理，通过所述处理能消除所述超低K材料层的空隙，形成比超低K材料层硬度大的表面，而对于金属铜表面的处理，则使所述金属铜表面更加光滑，降低其粗糙度，以消除金属铜和位于金属铜上的覆盖层之间的接缝（cap layer seam），提高器件的VBD性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属互联结构；对所述金属互联结构中金属材料和层间介质层的表面进行处理，以消除所述层间介质层的空隙，形成比所述层间介质层硬度大的表面，所述处理方法包括以下子步骤：(a)选用NH3等离子体进行处理；(b)选用SiH4等离子体进行处理；(c)选用四甲基硅烷等离子体进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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