[发明专利]一种非易失性存储器单元、以及配置或读取非易失性存储器单元的存储位的方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器单元、以及配置或读取非易失性存储器单元的存储位的方法，该非易失性存储器单元包含两个非易失性存储器元件以及一存取晶体管，该两个非易失性存储器元件被配置为一个具高电导和另一个具低电导。于配置后，代表数字值”1”的正电压VDD及代表数字值”0”的接地电压VSS分别连接至该两个非易失性存储器元件的两个输入节点。数字信号VDD或VSS通过具高电导的非易失性存储器元件，可直接由存取晶体管存取，而不需如传统电子可擦写可编程只读存储器一样还须通过一感测放大器。无需感测放大器，于互补式电子可擦写可编程只读存储器的数字数据可被快速存取，因此可节省感测放大器所需的硅晶片面积及功率消耗。

主权项

一种非易失性存储器单元，其特征在于，所述非易失性存储器单元包含：一存取晶体管；以及一第一非易失性存储器晶体管和一第二非易失性存储器晶体管，所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管的控制栅极相连接，而所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管的漏极电极耦接至所述存取晶体管的源极电极；其中，于一读取模式中，所述第一非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至一操作电压端，而所述第二非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至一接地端；以及其中，在配置后的所述读取模式中，所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管分别被导通和被切断，而所述存取晶体管的漏极电极产生一输出信号，所述输出信号对应于连接至导通非易失性存储器晶体管的所述操作电压端及所述接地端的其一所承载的电压。