[发明专利]高密度磁传感装置及其磁感应方法、制备工艺在审

专利信息
申请号: 201310145505.2 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN104122513A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 张挺;万虹 申请(专利权)人: 上海矽睿科技有限公司
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R3/00
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 王松
地址: 201815 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种高密度磁传感装置及其磁感应方法、制备工艺,所述装置包括第三方向(Z轴)磁传感部件,该第三方向磁传感部件包括基底、导磁单元、感应单元、外围电路;基底的表面开有沟槽;导磁单元包括分别设置于沟槽的两侧的第一导磁部分、第二导磁部分;感应单元设置于所述基底表面上、所述沟槽的两侧,分别与所述沟槽中的第一导磁部分及第二导磁部分相互配合;感应单元用以接收所述导磁单元输出的第三方向的磁信号,并根据该磁信号测量出第三方向对应的磁场强度及磁场方向。本发明可将X轴、Y轴、Z轴的感应器件设置在同一个圆晶或芯片上,具有良好的可制造性、优异的性能和明显的价格竞争力;并可降低元件单位面积,提示芯片面积的利用率。
搜索关键词: 高密度 传感 装置 及其 感应 方法 制备 工艺
【主权项】:
一种高密度磁传感装置,其特征在于,所述装置包括垂直方向磁传感部件,该垂直方向磁传感部件包括:‑基底,其表面开有沟槽;‑导磁单元,含有磁材料层,导磁单元包括分别设置于沟槽的两侧的第一导磁部分、第二导磁部分;第一导磁部分、第二导磁部分的主体部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面;第一导磁部分及第二导磁部分用以收集垂直方向的磁场信号,并将该磁场信号输出至感应单元;‑感应单元,设置于沟槽的两侧、所述基底表面上,与所述沟槽中的第一导磁部分及第二导磁部分相互配合;所述感应单元是感应与基底表面平行方向的磁传感器,含有磁材料层,用以接收所述导磁单元输出的来自垂直方向的磁信号,并根据该磁信号测量出垂直方向对应的磁场强度及磁场方向;所述垂直方向为基底表面的垂直方向;所述磁传感装置还包括第一磁传感器、第二磁传感器,分别用以感应与基底表面平行的第一方向、第二方向,第一方向、第二方向相互垂直。
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