[发明专利]存储器及其列译码电路

摘要

一种存储器及其列译码电路，所述存储器的列译码电路包括依次连接的与非门电路、非门电路、电平移位电路和第一驱动电路，还包括第二驱动电路和预充电电路。所述第二驱动电路包括第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述预充电电路包括第二PMOS管和第三NMOS管，所述第二PMOS管的源极适于连接预充电电源，在所述存储器进行读操作时，所述预充电电源提供的电压为所述存储器的电源电压。本发明技术方案提供的存储器及其列译码电路，能够减小存储器进行读操作的功率损耗。

主权项

一种存储器的列译码电路，包括依次连接的与非门电路、非门电路、电平移位电路和第一驱动电路，其特征在于，还包括：第二驱动电路和预充电电路；所述第二驱动电路包括：第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的源极适于连接第一电源，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的栅极连接所述与非门电路的输出端，所述第二NMOS管的源极适于连接第二电源；所述预充电电路包括：第二PMOS管和第三NMOS管，所述第二PMOS管的源极适于连接预充电电源，在所述存储器进行读操作时，所述预充电电源提供的电压为所述存储器的电源电压，所述第二PMOS管的栅极连接所述与非门电路的输出端，所述第二PMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的栅极连接所述第一驱动电路的输出端，所述第三NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极。