[发明专利]一种NiW合金基底上的立方织构Ce1-σGdσO2薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于超导材料技术领域，具体涉及一种NiW合金基底上的立方织构Ce1-σGdσO2薄膜及其制备方法。本发明的Ce1-σGdσO2薄膜是生长在立方织构的Ni-5%W合金基底上的Ce1-σGdσO2薄膜，厚度为200-500nm，具有（200）择优取向和面心立方晶体结构，织构为{100}<001>，其中0.1≤σ≤0.2，其制备方法是将(CH3CO2)3Ce(III)和GdN3O9溶解于C2H5COOH中得到Ce1-σGdσO2前驱液，将前驱液旋涂在Ni-5%W合金基底上，再将旋涂后的基片送入炉管热处理。本发明的CGO缓冲层具有面心立方晶体结构，YBCO的a、b轴晶格常数与CGO(001)面的半对角线长度接近相等，YBCO(00l)面和CGO(00l)面通过面内相对旋转45°后，可以形成良好的晶格匹配，能够实现YBCO超导膜的外延生长，对于改善化学法制备超导带材的超导性能具有重大意义。

主权项

一种NiW合金基底上的立方织构Ce1‑σGdσO2薄膜，其特征在于是生长在立方织构的NiW合金基底上的Ce1‑σGdσO2薄膜，厚度为 200‑500nm，具有（200）择优取向和面心立方晶体结构，织构形式为{100}<001>，其中0.1≤σ≤0.2，所述的NiW合金是按质量百分比含5%W 的Ni‑5%W合金。