[发明专利]用于操控功率半导体开关的方法

摘要

描述了用于操控以其集电极‑发射极路段连接在第一和第二供电电势之间的可控的功率半导体开关的方法。该方法包括借助于电压源装置调整功率半导体开关的集电极电流和集电极‑发射极电压的关断边沿的陡度，该电压源装置与功率半导体开关的栅极端子连接；和借助于可控的电流源装置调整功率半导体开关的集电极电流和集电极‑发射极电压的接通边沿的陡度，该电流源装置与功率半导体开关的栅极端子连接并且生成栅极操控电流，其中在从通过功率半导体开关的集电极‑发射极电流的电流升高开始直至集电极‑发射极电压的下降结束为止的阶段中，可调整的栅极操控电流的变化曲线从一个开关过程到接下来的开关过程之一在预先给定的公差带内最大地被改变。

主权项

用于操控可控的功率半导体开关（LS）的方法，所述功率半导体开关具有栅极端子（G）、集电极端子（C）和发射极端子（E）并且以其集电极‑发射极路段连接在第一和第二供电电势（Vcc，OUT）之间，其中该方法包括：借助于电压源装置（SPQ）调整功率半导体开关（LS）的集电极电流（I_c）的关断边沿的陡度和集电极‑发射极电压（V_ce）的关断边沿的陡度，该电压源装置与功率半导体开关（LS）的栅极端子（G）连接；和借助于可控的电流源装置（STQ）调整功率半导体开关（LS）的集电极电流（I_c）的接通边沿的陡度和集电极‑发射极电压（V_ce）的接通边沿的陡度，该电流源装置与功率半导体开关（LS）的栅极端子（G）连接并且生成栅极操控电流（I_G），其中在从通过功率半导体开关（LS）的集电极‑发射极电流（I_Last）的电流升高开始直至集电极‑发射极电压（V_ce）的下降结束为止的阶段中，可调整的栅极操控电流（I_G）的变化曲线从一个开关过程到接下来的开关过程之一在预先给定的公差带内最大地被改变。