[发明专利]硅片刻蚀方法

摘要

本发说涉及一种硅片刻蚀方法，用于对放置于反应腔室中静电卡盘之上的硅片进行深硅刻蚀工艺，该方法包括如下步骤向反应腔室中通入制程气体，制程气体包括刻蚀气体、侧壁钝化气体和含氢气体，含氢气体占制程气体的比例低于50%，含氢气体和刻蚀气体的流量比例为110至12；向反应腔室施加射频功率，以产生等离子体对硅片进行刻蚀工艺与侧壁钝化工艺。该方法在stead‑state深硅刻蚀工艺中利于达成刻蚀反应和侧壁钝化反应的平衡，从而侧壁出现pinhole形貌的几率大大降低、pinhole的数量也说显减少。

主权项

一种硅片刻蚀方法，用于对放置于反应腔室中静电卡盘之上的硅片进行深硅刻蚀工艺，其特征在于，所述深硅刻蚀工艺为刻蚀反应和侧壁钝化反应始终同时进行，所述方法包括如下步骤：A、向反应腔室中通入制程气体，所述制程气体包括刻蚀气体、侧壁钝化气体和含氢气体，所述含氢气体占所述制程气体的比例低于50％；B、调节所述反应腔室底部的静电卡盘的温度为‑50至50摄氏度；以及向所述反应腔室施加射频功率，以产生等离子体对所述硅片同时进行所述刻蚀工艺与所述侧壁钝化工艺，其中所述刻蚀气体产生F离子的等离子体，所述含氢气体产生H离子的等离子体。