[发明专利]超浅结的制造有效
| 申请号： | 201310150852.4 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103972060B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王立廷;聂俊峰;姚松伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体衬底中形成超浅结的方法。该方法包括通过执行预非晶化注入步骤在半导体衬底中形成非晶化区域以及通过执行单层掺杂步骤在非晶化区域中注入一种或更多种掺杂物。然后热处理该半导体衬底以激活非晶化区域中的注入的掺杂物从而由此在半导体衬底中形成超浅结。可以在注入的非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行热处理。本发明还提供了一种超浅结的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 超浅结 制造 | ||
【主权项】：
一种在半导体衬底中形成超浅结的方法，所述方法包括以下步骤：通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底之上的外延锗层中形成非晶化区域；通过执行第一单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入氮；在所述第一单层掺杂步骤之后，通过执行第二单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入磷；以及热处理所述半导体衬底，以激活在所述非晶化区域中注入的所述氮和所述磷，从而在所述半导体衬底中形成超浅结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
