[发明专利]封装方法及封装半导体器件有效

专利信息
申请号: 201310150867.0 申请日: 2013-04-26
公开(公告)号: CN103972140B 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 林俊成;洪瑞斌 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/98;H01L23/31;H01L25/065
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了封装方法及封装半导体器件。在一些实施例中,封装半导体器件的方法包括在载体上形成第一接触焊盘;在第一接触焊盘上方形成布线结构;以及在布线结构上方形成第二接触焊盘。第一封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第一组,第二封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第二组。移除载体。第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型。
搜索关键词: 封装 方法 半导体器件
【主权项】:
一种封装半导体器件的方法,所述方法包括:在设置在载体上的第一种子层上形成多个第一接触焊盘;在所述多个第一接触焊盘的上方形成布线结构;在所述布线结构上方形成第二种子层,并且所述第二种子层电连接至所述布线结构;在所述第二种子层的上方形成多个第二接触焊盘,并且所述多个第二接触焊盘电连接至所述第二种子层,所述多个第二接触焊盘包括焊料层和位于所述焊料层上面的镍层,所述镍层物理接触所述焊料层和所述第二种子层,所述焊料层物理接触所述第二种子层;将第一封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第一组;将第二封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第二组,所述第二封装半导体器件包括与所述第一封装半导体器件不同的封装类型;以及移除所述载体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310150867.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top