[发明专利]封装方法及封装半导体器件有效
申请号: | 201310150867.0 | 申请日: | 2013-04-26 |
公开(公告)号: | CN103972140B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 林俊成;洪瑞斌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/98;H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了封装方法及封装半导体器件。在一些实施例中,封装半导体器件的方法包括在载体上形成第一接触焊盘;在第一接触焊盘上方形成布线结构;以及在布线结构上方形成第二接触焊盘。第一封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第一组,第二封装半导体器件连接至第二接触焊盘中的第二组。移除载体。第二封装半导体器件包括与第一封装半导体器件不同的封装类型。 | ||
搜索关键词: | 封装 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种封装半导体器件的方法,所述方法包括:在设置在载体上的第一种子层上形成多个第一接触焊盘;在所述多个第一接触焊盘的上方形成布线结构;在所述布线结构上方形成第二种子层,并且所述第二种子层电连接至所述布线结构;在所述第二种子层的上方形成多个第二接触焊盘,并且所述多个第二接触焊盘电连接至所述第二种子层,所述多个第二接触焊盘包括焊料层和位于所述焊料层上面的镍层,所述镍层物理接触所述焊料层和所述第二种子层,所述焊料层物理接触所述第二种子层;将第一封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第一组;将第二封装半导体器件连接至所述多个第二接触焊盘中的第二组,所述第二封装半导体器件包括与所述第一封装半导体器件不同的封装类型;以及移除所述载体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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