[发明专利]记忆装置及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆装置及其制造方法。该记忆装置包括一基板、一记忆材料层、一第一介电层、一第一栅极层、一第二栅极层以及一源极/漏极区。其中，基板具有一凹槽，记忆材料层形成于凹槽的一侧壁上。第一介电层、第一栅极层和第二栅极层填充于凹槽中，第一介电层是形成于第一栅极层和第二栅极层之间。源极/漏极区形成于基板内并邻接于记忆材料层。第一栅极层延伸的方向垂直于源极/漏极区延伸的方向。本发明同时还提供了上述记忆装置的制造方法。本发明使记忆装置中字线的宽度是以第一栅极层的高度定义,从而使得记忆装置可以在尺寸减小的情况下仍具有良好的操作效能。

主权项

一种记忆装置，其特征在于，其包括：一基板，具有一凹槽；一记忆材料层，形成于该凹槽的一侧壁上；一第一介电层、一第一栅极层和一第二栅极层，填充于该凹槽中，其中该第一介电层是形成于该第一栅极层和该第二栅极层之间；以及一掺杂条，形成于该基板内并邻接于该记忆材料层；其中该第一栅极层延伸的方向垂直于该掺杂条延伸的方向，该记忆装置的字线的宽度以所述第一栅极层的高度定义，所述第一栅极层的高度定义为垂直于该第一栅极层延伸的方向和该掺杂条延伸的方向。