[发明专利]大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法无效
| 申请号： | 201310151043.5 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103255480A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 肖宇;张发培;李峰;周国庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 23003*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法，通过简单地将氯苯与正十二烷按一定体积比作为混合溶剂配成6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯的溶液，同时在薄膜生长过程中将其置于密闭的培养皿中来对生长条件调控，生长出尺寸可达几毫米的有机薄晶体。采用本发明制备的大尺寸TIPS-PEN有机薄晶体对制备低成本高性能集成电子器件方面具有很好的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 13 丙基 硅烷 乙炔 五苯薄 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大尺寸6，13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体的制备方法，包括以下步骤：1)把高纯的6，13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯溶于正十二烷与氯苯的混合溶剂中，配成浓度0.2～0.8wt.％的溶液；2)将处理后的洁净硅片衬底水平放置于培养皿中，并将培养皿放于温度设定为25℃的热台上用以制造恒定的温度T，用移液枪吸取20μL上述浓度的6，13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯溶液滴在衬底表面，用封口膜将培养皿密封，并将培养皿盖上盖子，随着溶剂的蒸发，溶质在溶液中央贴着衬底成核、慢慢长大并结晶，最后在衬底表面生长出尺寸可达几毫米的6，13‑双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄晶体。
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