[发明专利]一种多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置

摘要

本发明公开了一种多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，它包括一个由顶板、侧壁和底板构成圆柱形的封闭壳体，封闭壳体的内部被中层板分隔成密封腔和水冷腔，在水冷腔两端对应的侧壁上分别安装有冷却水进水管和冷却水出水管，特征是：密封腔被竖直的隔离体分隔成两个以上独立且呈扇形的混气室，在每个混气室对应的侧壁或顶板上分别安装有混气室进气管道；进气细孔连通各个混气室和MOCVD反应室。本喷头可以选择性的让两类反应气体在进入反应室前提前充分混合或者相互独立的进入反应室，从而即能保证气体的正常输运，又能在生长多层结构薄膜材料时以各自最适合的气体混合状态生长各个单层，并且特别有利于生长用于制备紫外器件的高铝组分的Ⅲ-Ⅴ族的氮化物半导体材料。

主权项

一种多混气室垂直气流型MOCVD喷头装置，包括：一个由顶板、侧壁和底板构成圆柱形的封闭壳体，该封闭壳体与下面的MOCVD反应室连为一体，封闭壳体的内部被中层板分隔成两个独立且相互密封的密封腔和水冷腔，密封腔位于中层板的上方，位于中层板下方、与MOCVD反应室相邻的是水冷腔，在水冷腔两端对应的侧壁上分别安装有冷却水进水管和冷却水出水管，特征是：密封腔被竖直的隔离体分隔成两个以上独立且呈扇形的混气室，在每个混气室对应的侧壁或顶板上分别安装有一条以上用于输运反应气体的混气室进气管道；竖直的进气细孔从上向下依次贯穿中层板、通过水冷腔、贯穿底板，连通各个混气室和MOCVD反应室。