[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 201310151756.1 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104124313B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 黄冠杰;庄东霖 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管结构，包括一永久基板、一第一图案化金属层、一第二图案化金属层以及一半导体磊晶层。永久基板具有一接合面。第一图案化金属层配置在永久基板的接合面上且暴露出部分接合面。第二图案化金属层对应配置在第一图案化金属层上。第二图案化金属层暴露出第一图案化金属层所暴露出的接合面。第二图案化金属层与第一图案化金属层的接触面形成共晶结合。半导体磊晶层配置在第二图案化金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管结构，其特征在于，包括：一永久基板，具有一接合面；一第一图案化金属层，形成一第一金属块阵列，配置在该永久基板的该接合面上，其中该第一图案化金属层暴露出部分该接合面；一第二图案化金属层，形成一第二金属块阵列，对应配置在该第一图案化金属层上，其中该第二图案化金属层暴露出该第一图案化金属层所暴露出的该接合面，且该第二图案化金属层与该第一图案化金属层的接触面形成共晶结合，其中该第一图案化金属层与该第二图案化金属层实质上重合；以及一半导体磊晶层，配置在该第二图案化金属层上。
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