[发明专利]一种薄膜电阻、溅射靶材、带电阻金属箔及制备方法有效
| 申请号： | 201310152605.8 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104120336B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;杨学龙 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,卢军峰 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜电阻，其含有50％～96％(重量)的Fe，2％～30％(重量)的Al，2％～20％(重量)的N。本发明采用较常见的Fe、Al、N作为薄膜电阻的原材料，并通过控制各成分的重量比例使得制得的薄膜电阻的电阻率覆盖范围广。相对于现有技术，本发明的薄膜电阻材料成本更低、对环境影响更小。本发明还公开一种溅射靶材、带电阻金属箔和制备上述薄膜电阻的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电阻 溅射 金属 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电阻，其特征在于，含有50％～96％(重量)的Fe，2％～30％(重量)的Al，2％～20％(重量)的N。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳光启高等理工研究院，未经深圳光启高等理工研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310152605.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：以太网网关、以太网网关设备以及系统
- 下一篇：可变电阻存储器件
- 同类专利
- 专利分类
