[发明专利]半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201310152690.8 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103383955A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈怡荣;苏国辉;林江宏 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 赵根喜;吕俊清 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制备方法，该半导体装置包含一基材、一绝缘层、一非掺杂硅层，以及一硅材料。基材包含一掺杂区。绝缘层形成于基材上。绝缘层可包含与掺杂区对应的一接点孔。非掺杂硅层形成于掺杂区上。硅材料从非掺杂硅层开始填充接点孔。本发明的半导体装置因包含非掺杂硅层，故可避免掺杂扩散到源/漏极区及降低电荷漏失。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：一基材，包含一掺杂区；一绝缘层，形成于该基材，该绝缘层包含与该掺杂区对应的一接点孔；一非掺杂硅层，形成于该掺杂区上；以及一硅材料，从该非掺杂硅层填充该接点孔。
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