[发明专利]非挥发性存储器及非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种非挥发性存储器和非挥发性存储器制造方法。根据一个实施例的非挥发性存储器可包括：深阱(Deep Well)，其配备在基板上；第1阱，其配备在所述深阱区域内；第2阱，其配备在所述深阱区域内与所述第1阱隔离；第1场效应晶体管（MOSFET），其配备在所述第1阱上；第2场效应晶体管，其配备在所述第2阱上。根据一个实施例的非挥发性存储器的制造方法，可将控制MOSFET的阱区域与相邻的存储单元的控制MOSFET的阱区域共享，或是将隧穿MOSFET的阱区域与相邻的存储单元的隧穿MOSFET的阱区域共享，从而可减少存储单元的面积。

主权项

一种非挥发性存储器，包括：深阱，其配备在基板上；第1阱，其配备在所述深阱区域内；第2阱，其配备在所述深阱区域内与所述第1阱隔离；第1场效应晶体管，其配备在所述第1阱上；和第2场效应晶体管，其配备在所述第2阱上。