[发明专利]一种单分子磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201310152894.1 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103219148A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 高婷;杨宇;闫鹏飞;李光明;朱婧 | 申请（专利权）人： | 黑龙江大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C07F19/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种单分子磁体的制备方法，本发明涉及单分子磁体的制备方法。本发明要解决目前的合成方法产率较低，配合物的合成方法复杂的问题。方法：一、制备混合溶液；二、制备预制体；三、合成。本发明产率高，单分子磁体的合成方法简单，重复性强。本发明用于制备单分子磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分子 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单分子磁体的制备方法，其特征在于一种单分子磁体的制备方法，具体是按照以下步骤制备的：一、将乙二胺缩水杨醛与三氟甲基磺酸镝混合均匀，然后加入甲醇和三乙胺的乙腈溶液，其中乙二胺缩水杨醛、三氟甲基磺酸镝和三乙胺的物质的量之比为1∶1∶2，甲醇与乙腈的体积比为1∶1，得到混合溶液；二、将步骤一得到的混合溶液放入水热合成釜中，再将水热合成釜在恒温恒压条件下，保持48h～49h，控制温度为88℃～92℃，得到预制体；三、将步骤二得到的预制体自然冷却至室温，再保持24h～48h，预制体中溶剂挥发完全得到黄色晶体，完成单分子磁体的制备方法。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江大学，未经黑龙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310152894.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
