[发明专利]一种具有高储能密度的复合薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201310152902.2 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103273704A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 王金斌;陈婷;钟向丽;谭丛兵;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | B32B18/00 | 分类号： | B32B18/00;C04B35/48;C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 411105*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高储能密度的复合薄膜及其制备方法，该复合薄膜底层和上层为锆酸铅基薄膜层；中间层为钛酸钡基二元固溶体薄膜层；制备方法是将锆酸铅基薄膜层原料和钛酸钡基二元固溶体薄膜层原料分别配制成锆酸铅基前驱体溶液和钛酸钡基二元固溶体前驱体溶液；用制得的锆酸铅基前驱体溶液通过甩胶旋涂在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上得到湿膜，再用得到的湿膜在氧气气氛下经过烘烤、热解、退火处理，即制得锆酸铅基薄膜层；再按照上述锆酸铅基薄膜层的制备过程在已制得的锆酸铅基薄膜层上依次制备钛酸钡基二元固溶体薄膜层和锆酸铅基薄膜层，即得；该复合薄膜具有高能量存储密度且耐极化疲劳的性能，制备方法简单易行、成本低，可工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高储能 密度 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高储能密度的复合薄膜及其制备方法，其特征在于，底层和上层为锆酸铅基薄膜层；中间层为钛酸钡基二元固溶体薄膜层；所述的锆酸铅基薄膜层厚度为50～300nm，钛酸钡基二元固溶体薄膜层厚度为50～300nm。
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