[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310153184.0 | 申请日： | 2013-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103236402A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 姜春生;方婧斐 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管制作方法，在基板上形成包括：栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、源漏极层的图形，在形成所述氧化物半导体层图形之后，在所述氧化物半导体层的表面形成金属氧化物的刻蚀阻挡层的图形。本发明的薄膜晶体管制作方法在氧化物半导体层上形成金属氧化物作为刻蚀阻挡层层，金属氧化物能够有效地阻挡外界水汽对氧化物薄膜晶体管的影响，而且在制作时也不会对氧化物半导体层产生损害，从而不会影响氧化物薄膜晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制作方法，在基板上形成包括：栅极、栅绝缘层、氧化物半导体层、源漏极层的图形，其特征在于，在形成所述氧化物半导体层图形之后，在所述氧化物半导体层的表面形成金属氧化物的刻蚀阻挡层的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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