[发明专利]一种三结级联太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201310153285.8 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103258907A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
发明(设计)人: | 李奎龙;董建荣;孙玉润;曾徐路;赵勇明;于淑珍;赵春雨;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0693 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 杨林;李友佳 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能技术领域,尤其是三结级联太阳能电池的制备方法,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长InxGa1-xAs1-yNy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间电池层、第二隧道结、AlpGa1-p-qInqP顶电池层及GaAs接触层;再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。本发明还提供这种太阳能电池的结构。本发明实现对太阳光谱的分段吸收利用,各个子电池间的电流匹配,各个电池层与GaAs晶格匹配,可获得较高的电池效率,是一种潜在的理想的太阳能电池材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 级联 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种三结级联太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长InxGa1‑xAs1‑yNy底电池层、第一隧道结、InxGa1‑xAs1‑yNy中间电池层、第二隧道结、AlpGa1‑p‑qInqP顶电池层及GaAs接触层;再在所述GaAs衬底底部及所述GaAs接触层顶部制作欧姆电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的