[发明专利]用于电子装置的电子阻挡层无效
| 申请号： | 201310153363.4 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103311285A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 陈健;拉胡尔.沙兰戈帕尼 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/51;H01L21/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述用于例如非易失性存储器装置等电子装置的方法及设备。所述存储器装置包括多层控制电介质，例如双层或三层。所述多层控制电介质包括例如氧化铝、氧化铪及/或氧化铝铪的混合膜等高k电介质材料的组合。所述多层控制电介质提供增强的特性，包括增加的电荷保留、增强的存储器编程/擦除窗、改进的可靠性及稳定性，以及单态或多态（例如，两位、三位或四位）操作的可行性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 装置 阻挡 | ||
【主权项】：
一种存储器装置的栅极堆叠，所述栅极堆叠包含：在隧穿电介质层上的电荷存储层，所述电荷存储层包含局域化电荷捕集器；在所述电荷存储层上的第一电介质层，所述第一电介质层包含具有第一介电常数的第一氧氮化物；在所述第一电介质层上的第二电介质层，所述第二电介质层包含具有第二介电常数的氧化物；及在所述第二电介质层上的第三电介质层，所述第三电介质层包含具有第三介电常数的第二氧氮化物，其中所述第一及第三介电常数大于所述第二介电常数。
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