[发明专利]包括输入信号限制网络的放大电路有效

专利信息
申请号: 201310153733.4 申请日: 2013-04-28
公开(公告)号: CN103384143A 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: I·穆彻;P·提克维奇;M·马特加 申请(专利权)人: 亚德诺半导体股份有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F1/22;H01L27/02;H01L27/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金晓
地址: 丹麦阿*** 国省代码: 丹麦;DK
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摘要: 发明涉及包括半导体衬底的用于换能器信号的集成放大电路。半导体衬底包括信号限制网络,该信号限制网络包括耦合在前置放大器的输入和集成放大电路的第一预定电位之间的第一和第二平行支路。第一支路包括通过限制网络被耦合为沿第一方向的传导电流的多个级联半导体二极管,以及第二支路包括通过限制网络耦合至沿第二方向的传导电流的多个级联半导体二极管。电流阻挡件被配置为中断在第一支路或者第二支路的半导体二极管的阳极或者阴极和半导体衬底之间的寄生电流路径。
搜索关键词: 包括 输入 信号 限制 网络 放大 电路
【主权项】:
一种用于换能器信号的集成放大电路,包括:‑半导体衬底,包括第一极性半导体材料,所述半导体衬底进一步包括:‑前置放大器,包括用于接收所述换能器信号的输入,‑信号限制网络,包括耦合在所述前置放大器的输入和所述集成放大电路的第一预定电位之间的第一和第二平行支路;‑第一支路,包括被耦合为通过所述限制网络沿第一方向传导电流的多个级联半导体二极管,‑第二支路,包括被耦合为通过所述限制网络沿第二方向传导电流的多个级联半导体二极管;‑电流阻挡件,被配置为中断在所述第一支路或者所述第二支路的半导体二极管的阳极或者阴极与所述半导体衬底之间的寄生电流路径。
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