[发明专利]LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201310153799.3 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103258928A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 于洪波;于婷婷;朱学亮;汪洋 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：第一类型外延层；发光外延层，设置于所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，设置于所述发光外延层背离所述第一类型外延层一侧；沟槽，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧，所述沟槽贯穿所述第二类型外延层以及发光外延层；第一电极，与所述第一类型外延层电相连，用于向所述第一类型外延层提供电压；第二电极，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层一侧，并覆盖所述沟槽。同时本发明提供该LED芯片的制备方法。本发明所提供的LED芯片提高了电流的有效注入，减少了第二类型外延层以及发光外延层对光的吸收，从而提高了LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：第一类型外延层；发光外延层，设置于所述第一类型外延层的一侧；第二类型外延层，设置于所述发光外延层背离所述第一类型外延层的一侧；沟槽，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层的一侧，所述沟槽贯穿所述第二类型外延层以及发光外延层；第一电极，与所述第一类型外延层电相连，用于向所述第一类型外延层提供电压；第二电极，设置于所述第二类型外延层背离所述发光外延层的一侧，并覆盖所述沟槽。
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