[发明专利]一种反应腔室及等离子体加工设备有效
申请号: | 201310153865.7 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN104120410B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 李强;贾士亮 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509;C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种反应腔室及等离子体加工设备,包括上电极板、固定装置和保护气体源,固定装置包括采用闭合的环形结构的装置本体,装置本体套置在上电极板的外周壁上,并与反应腔室的顶壁固定连接,以将上电极板固定在反应腔室顶部;并且装置本体内形成有进气通道,进气通道的进气口与保护气体源连通,出气口分布在暴露在反应腔室内的装置本体的下表面上,且与反应腔室的内部连通;保护气体源用于在工艺时经由进气通道向反应腔室内提供保护气体,以使其在装置本体的下表面周围形成阻挡反应副产物的保护气层。本发明提供的反应腔室,其可以减少甚至消除反应副产物附着在装置本体的下表面上,从而可以提高反应腔室的清洁度,进而可以提高工艺质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 反应 等离子体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种反应腔室,包括上电极板和固定装置,所述固定装置包括装置本体,所述装置本体采用闭合的环形结构,且套置在所述上电极板的外周壁上,并且所述装置本体与所述反应腔室的顶壁固定连接,以将所述上电极板固定在所述反应腔室内的顶部,其特征在于,所述反应腔室还包括保护气体源,并且在所述装置本体内形成有进气通道,所述进气通道的进气口与所述保护气体源连通,所述进气通道的出气口分布在暴露在所述反应腔室内的装置本体的下表面上,且与所述反应腔室的内部连通;所述保护气体源用于在工艺时经由所述进气通道向所述反应腔室内提供保护气体,以使其在所述装置本体的下表面周围形成阻挡反应副产物的保护气层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的