[发明专利]一种有机阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310154664.9 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103219466A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 许积文;王华;何玉汝;戴培邦 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 滕杰锋 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机阻变存储器，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。
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