[发明专利]具有硅穿孔的半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201310156181.2 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104124219A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 | 申请（专利权）人： | 艾芬维顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有硅穿孔半导体装置，包含：基板，具有前侧与背侧；及硅穿孔，贯穿该基板且在该前侧具有圆形且在该背侧具有圆角化的矩形。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿孔 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有硅穿孔的半导体装置，包含：基板，具有前侧与背侧;及硅穿孔，贯穿该基板且在该前侧具有圆形且在该背侧具有圆角化的矩形。
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