[发明专利]半导体芯片的版图图层设计方法及其掩膜板无效
申请号: | 201310156848.9 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103246153A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 张亮;毛智彪;曹永峰;俞柳江;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体芯片的版图图层设计方法,包括:按照OPC的能力给出图层分类的标准和规则;确定子图层的层数;将需要进行相同OPC修正精度的版图置于同一子图层中,使整个版图分布在不同精度的子图层中,并进行相应精度的光学临近修正计算;将处理完成的多个所述子图层整合形成所需版图的光掩膜数据。本发明还提供一种利用半导体芯片版图图层设计方法的掩膜板。本发明提供的半导体芯片的版图图层设计方法,只需要对不同子图层单独进行不同精度级别的OPC运算,可以有效地减少计算量以及图形面积,提高计算效率,提高运算服务器的工作效率和缩短产品的出版周期。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 版图 设计 方法 及其 掩膜板 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片的版图图层设计方法,其特征在于,包括:按照OPC的能力给出图层分类的标准和规则;确定子图层的层数;将需要进行相同OPC修正精度的版图置于同一子图层中,使整个版图分布在不同精度的子图层中,并进行相应精度的光学临近修正计算;将处理完成的多个所述子图层整合形成所需版图的光掩膜数据。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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