[发明专利]鳍式双极结型晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310156947.7 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104124153A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陶佳佳;三重野文健;李勇;张帅;黄新运;居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式双极结型晶体管及其形成方法，所述鳍式双极结型晶体管包括：基底；位于基底上掺杂有杂质的鳍部，所述鳍部为第一区；位于所述第一区上基区；位于所述基区上或基区内的第二区，所述第一区为发射区、第二区为集电区或者第一区为集电区、第二区为发射区。本鳍式双极结型晶体管，基区与发射区之间形成的PN结具有较大的面积，该PN结面积可调，且可调范围很大。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式双极结型 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式双极结型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成掺杂有杂质的鳍部，作为第一区；在所述第一区上形成基区；在所述基区上或基区内形成第二区，所述第一区为集电区、第二区为发射区或者所述第一区为发射区、第二区为集电区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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