[发明专利]采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储单元及其制备方法有效
申请号: | 201310157318.6 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN103247758A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 张群;刘宝营 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于非易失性存储器件技术领域,具体为一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元。本发明以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板,氧化锡薄膜作为阻变层,氧化钼薄膜作为氧存储层,具体结构组成依次为:油墨彩印纸基板,作为底电极的金属镍薄膜,氧化锡薄膜,氧化钼薄膜,作为顶电极的金属钼薄膜。本发明在低温条件下(~100℃)利用直流磁控溅射技术,在基板依次制备金属镍薄膜、氧化锡薄膜、氧化钼薄膜、金属钼薄膜。本发明制备的阻变存储单元具有良好的弯折耐久性等特性,在非易失性存储领域、柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 采用 柔性 擦写 薄膜 存储 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元,其特征在于以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板,氧化锡SnOx(0
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310157318.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。