[发明专利]通过在应力衬垫方案中实作额外的清洗工序所增加的晶体管效能无效
| 申请号： | 201310157505.4 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN103383926A | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | T·沙伊佩;P·巴尔斯 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及通过在应力衬垫方案中实作额外的清洗工序所增加的晶体管效能，当在形成在晶体管上的高应力介电材料的的基础上形成复杂的晶体管时，应力传导效率可通过在沉积该高应力材料之前减少栅极电极结构的间隔件结构的尺寸而增加。在沉积该高应力材料之前，额外的清洗工序可实行以减少任何金属污染物的存在，特别在该栅极电极结构的附近，否则该金属污染物将导致增加的边缘电容。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 应力 衬垫 方案 中实作 额外 清洗 工序 增加 晶体管 效能 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：从晶体管的栅极电极结构的侧壁间隔件结构去除材料，且该侧壁间隔件结构包括金属硅化物；在去除该侧壁间隔件结构的该材料之后，执行湿式化学清洗工序；以及在执行该湿式化学清洗工序后，形成应力引发层在该晶体管上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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