[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201310157814.1 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104124172B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底上具有凸起的鳍部，鳍部侧壁和顶部表面上具有若干分立的栅极结构，栅极结构的侧壁表面具有侧墙；形成覆盖鳍部、栅极结构、侧墙和半导体衬底的介质层，介质层的表面高于栅极结构的顶部表面；在介质层上形成图形化的掩膜层；刻蚀所述介质层，形成第一开口，所述第一开口暴露出相邻栅极结构之间的鳍部表面和侧墙表面；沿第一开口刻蚀相邻栅极结构之间暴露的鳍部，在鳍部中形成凹槽；在凹槽中填充满应力材料，形成共享源/漏区；在第一开口内填充满第一金属，在共享源/漏区上形成金属插塞。本发明的方法节省了工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有凸起的鳍部，所述鳍部侧壁和顶部表面上具有若干分立的栅极结构，栅极结构的侧壁表面具有侧墙；形成覆盖所述鳍部、栅极结构、侧墙和半导体衬底的介质层，所述介质层的表面高于栅极结构的顶部表面；在所述介质层上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，形成第一开口，所述第一开口暴露出相邻栅极结构之间的鳍部表面和侧墙表面；沿第一开口刻蚀所述相邻栅极结构之间暴露的鳍部，在鳍部中形成凹槽；在凹槽中填充满应力材料，形成鳍式场效应晶体管的共享源/漏区；在第一开口内填充满第一金属，在共享源/漏区上形成金属插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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