[发明专利]半导体晶片清洗方法在审
| 申请号： | 201310157819.4 | 申请日： | 2013-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN104124136A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈灵 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/02;B08B3/04 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 半导体晶片清洗方法，用于清洗附着于半导体晶片表面的颗粒，包括以下步骤：步骤一、将晶片竖直放入第一清洗槽中，喷水管从晶片上方对晶片进行喷淋冲洗，直至水浸没晶片时将水全部排空；步骤二、将晶片竖直放入第二清洗槽中浸泡，向第二清洗槽内补水直至水向外溢出；步骤三、将晶片竖直放入第三清洗槽中，采用异丙醇蒸汽干燥工艺对晶片进行干燥。本发明利用水喷淋和水浴浸泡两种不同方式，使晶片表面的颗粒随着水流一起带离晶片表面，再通过异丙醇蒸发，达到干燥效果，清洗效果更好，有利于提升器件良率，而且避免了利用离心力和刷子来对晶片进行清洗时，由于高速旋转导致晶片中心产生静电而造成损伤的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
半导体晶片清洗方法，用于清洗附着于半导体晶片表面的颗粒，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、将晶片竖直放入第一清洗槽中，喷水管从晶片上方对晶片进行喷淋冲洗，直至水浸没晶片时将水全部排空；步骤二、将晶片竖直放入第二清洗槽中浸泡，向第二清洗槽内补水直至水向外溢出；步骤三、将晶片竖直放入第三清洗槽中，采用异丙醇蒸汽干燥工艺对晶片进行干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
