[发明专利]发光二极管制造方法无效
| 申请号： | 201310158162.3 | 申请日： | 2013-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN104134722A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：提供一个基板；在基板上形成未掺杂的GaN层；蚀刻未掺杂的GaN层与基板相反的表面形成多个凹槽；在未掺杂的GaN层的具有凹槽的表面生长布拉格反射层；以及在布拉格反射的表面依次形成N型GaN层、活性层以及P型GaN层。通过在未掺杂的GaN层表面形成凹槽以及在凹槽上生长布拉格反射层，所述布拉格反射层将形成波浪形的弯曲结构。波浪形的布拉格反射层除了反射垂直于基板方向的光线外，亦可对偏离垂直于基板方向的光线进行有效的反射，从而提高发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：提供一个基板；在基板上形成未掺杂的GaN层；蚀刻未掺杂的GaN层与基板相反的表面形成多个凹槽；在未掺杂的GaN层的具有凹槽的表面生长布拉格反射层；以及在布拉格反射的表面依次形成N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
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