[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管芯片及其制造方法，该方法首先将基板制备到Mesa刻蚀，然后沉积光反射层，并对所述光反射层进行刻蚀，在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层，然后进行退火处理；最后制作透明电极、P电极、N电极、P电极引线及N电极引线。本发明的发光二极管芯片及其制造方法在P电极、N电极、P电极引线及N电极引线底部区域设有光反射层，该光反射层可以将发光层到达电极区域的光反射回去，再传导到其它区域发射出去，防止发射到电极区域的光被电极及电极引线吸收掉，从而提高了发光二极管的出光效率，提高芯片的亮度。

主权项

一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤：1)提供一基板，所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层；2)对所述基板进行部分刻蚀，在所述基板中形成一凹陷区域，所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中；3)在步骤2)形成的结构上沉积光反射层，并对所述光反射层进行刻蚀，在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层，然后进行退火处理；4)在其余P型半导体层、所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层上形成透明导电层，所述透明导电层覆盖所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层；5)在所述透明导电层上制作P电极及P电极引线，在所述凹陷区域的N型半导体层上制作N电极及N电极引线；所述P电极与所述P电极区光反射层相对，所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对；所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与N型半导体层接触，所述N电极引线与所述N电极连接的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上，后段部分形成于所述N型半导体层上；位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y1，其中50％≤y1≤80％。