[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310158810.5 申请日: 2013-04-28
公开(公告)号: CN103280499B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 郝茂盛;袁根如;陈诚;陶淳;朱广敏;张楠;杨杰 申请(专利权)人: 上海蓝光科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/46;H01L33/38
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 李仪萍
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种发光二极管芯片及其制造方法,该方法首先将基板制备到Mesa刻蚀,然后沉积光反射层,并对所述光反射层进行刻蚀,在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层,然后进行退火处理;最后制作透明电极、P电极、N电极、P电极引线及N电极引线。本发明的发光二极管芯片及其制造方法在P电极、N电极、P电极引线及N电极引线底部区域设有光反射层,该光反射层可以将发光层到达电极区域的光反射回去,再传导到其它区域发射出去,防止发射到电极区域的光被电极及电极引线吸收掉,从而提高了发光二极管的出光效率,提高芯片的亮度。
搜索关键词: 发光二极管 芯片 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,所述发光二极管芯片的制造方法至少包括以下步骤:1)提供一基板,所述基板自下而上依次包括衬底、N型半导体层、发光层及P型半导体层;2)对所述基板进行部分刻蚀,在所述基板中形成一凹陷区域,所述凹陷区域底部到达所述N型半导体层中;3)在步骤2)形成的结构上沉积光反射层,并对所述光反射层进行刻蚀,在所述P型半导体层上形成P电极区光反射层及P电极引线区光反射层、在所述凹陷区域的N型半导体层上形成N电极区光反射层及N电极引线区光反射层,然后进行退火处理;4)在其余P型半导体层、所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层上形成透明导电层,所述透明导电层覆盖所述P电极区光反射层及所述P电极引线区光反射层;5)在所述透明导电层上制作P电极及P电极引线,在所述凹陷区域的N型半导体层上制作N电极及N电极引线;所述P电极与所述P电极区光反射层相对,所述P电极引线与所述P电极引线区光反射层相对;所述N电极覆盖所述N电极区光反射层并与N型半导体层接触,所述N电极引线与所述N电极连接的前段部分形成于所述N电极引线区光反射层上,后段部分形成于所述N型半导体层上;位于所述N电极引线区光反射层上的N电极引线与所述N电极引线区光反射层在水平面上的投影面积百分比为y1,其中50%≤y1≤80%。
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