[发明专利]一种TSV背面露头工艺

摘要

一种TSV背面露头工艺，通过在研磨衬底背面时，保留TSV上方的衬底，避免该物理减薄过程对TSV露头以及衬底的损坏，同时又使得原本TTV较高的衬底表面被研磨之后具有较好的表面平整度，使得后续刻蚀过程中的一致性较高。然后通过第一次湿法刻蚀，以衬底和介质层选择比较高的刻蚀液对衬底进行刻蚀，再根据TSV上的介质层和阻挡层在第一次刻蚀时的情况，选择是否进行第二次刻蚀和第三次刻蚀，保证TSV露头部分具有足够的高度，并且露头部分的导电柱不受刻蚀液的损坏。最后以感光性材料为介质保护层，以曝光显影的方式刻蚀出最终的TSV露头结构，避免传统工艺中对导电柱铜的腐蚀和氧化，减少了后续处理步骤。

主权项

一种TSV背面露头工艺，包括衬底减薄工艺和介质保护层的制作及刻蚀工艺，其特征在于，所述衬底减薄工艺包括步骤：提供一具有TSV结构的半导体衬底，所述TSV结构包括位于TSV侧壁上的介质层、阻挡层和被该介质层、阻挡层包裹的导电柱；对所述半导体衬底的背面进行一研磨工艺，研磨后的半导体衬底背面与TSV底部之间留有一间隔；对研磨后的半导体衬底背面实施第一次刻蚀，该刻蚀采用的刻蚀液对半导体衬底的刻蚀速率大于对TSV侧壁上介质层的刻蚀速率，使半导体衬底被刻蚀至所需厚度。