[发明专利]发光二极管结构及其制造方法无效
申请号: | 201310159667.1 | 申请日: | 2013-05-03 |
公开(公告)号: | CN103700682A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 李学麟;朱长信;陈源泽;徐智魁 | 申请(专利权)人: | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/485;H01L23/522;H01L21/786;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种发光二极管结构及其制造方法,包含绝缘基板、发光二极管芯片、内连线层、第一电性电极垫、第二电性电极垫、绝缘反射层、第一电性接合垫及第二电性接合垫。发光二极管芯片包含邻接的平台结构与第一电性半导体层暴露部分、及第一隔离沟槽设于平台结构中。内连线层连接相邻二发光二极管芯片。第一电性电极垫及第二电性电极垫分别与二发光二极管芯片电连接。绝缘反射层覆盖内连线层、平台结构、第一电性电极垫与第二电性电极垫。第一电性接合垫及第二电性接合垫位于绝缘反射层上,且分别与第一电性电极垫及第二电性电极垫电连接。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管结构,包含:绝缘基板;多个发光二极管芯片,其中每一该些发光二极管芯片包含一外延层,该外延层包含依序堆叠在该绝缘基板的一表面上的第一电性半导体层、主动层以及第二电性半导体层,且每一该些发光二极管芯片包含邻接的平台结构与第一电性半导体层暴露部分、以及第一隔离沟槽,该第一隔离沟槽设于该平台结构中;多个内连线层,分别连接该些发光二极管芯片的相邻二者;第一电性电极垫及第二电性电极垫分别设于该些发光二极管芯片的一第一者与一第二者上,且分别与该第一者的该第一电性半导体层暴露部分及该第二者的该第二电性半导体层电连接;绝缘反射层,覆盖在该些内连线层、该些平台结构、该第一电性电极垫与该第二电性电极垫上,其中该绝缘反射层具有至少一第一贯穿孔与至少一第二贯穿孔分别暴露出部分的该第一电性电极垫与该第二电性电极垫;第一电性接合垫,位于部分的该绝缘反射层上,且经过该至少一第一贯穿孔而与该第一电性电极垫电连接;以及第二电性接合垫,位于另一部分的该绝缘反射层上,并与该第一电性接合垫分离,且经过该至少一第二贯穿孔而与该第二电性电极垫电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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