[发明专利]小平面式鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310163388.2 | 申请日： | 2013-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103915495B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 马克·范·达尔;乔治斯·威廉提斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在许多其他方面，还提供了包括一个或多个小平面表面的半导体器件以及用于形成该半导体器件的技术。诸如finFET的半导体器件包括形成于半导体衬底上的鳍。鳍包括源极区、沟道和漏极区。围绕该沟槽形成栅极。对鳍的上鳍部进行退火，例如通过氢退火工艺，以形成一个或多个小平面表面。例如，上鳍部包括形成为与第二小平面表面相邻且相对于第二小平面表面成大于90度的角度的第一小平面表面，这导致第一小平面表面和第二小平面表面之间转角的尖锐度减小。这样，该转角附近的电场与鳍内的其他地方所感应到的电场基本一致。本发明还公开了一种小平面式鳍式场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 式鳍式 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：设置在第一隔离结构和第二隔离结构之间的鳍，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构形成在半导体衬底上，所述鳍包括延伸至所述第一隔离结构和所述第二隔离结构之上的上鳍部，所述上鳍部包括第一小平面表面和第二小平面表面，所述第一小平面表面形成为与所述第二小平面表面相邻且相对于所述第二小平面表面成大于90度的角度，其中，所述鳍定义所述半导体器件的源极/漏极区和沟道区，所述第一小平面表面界定所述源极/漏极区和所述沟道区的边界轮廓的第一部分，所述第二小平面表面界定所述源极/漏极区和所述沟道区的边界轮廓的第二部分，所述源极/漏极区的边界轮廓与所述沟道区的边界轮廓相同，并且所述第一小平面表面和所述第二小平面表面均不与所述半导体衬底的表面相邻。
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