[发明专利]半导体装置和将密封剂沉积在嵌入式WLCSP中的方法在审

专利信息
申请号: 201310164479.8 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN103715108A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 林耀剑;H-P.维尔茨;尹胜煜;P.C.马里穆图 申请(专利权)人: 新科金朋有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;朱海煜
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 半导体装置具有半导体晶片,其包括多个半导体管芯。在该半导体晶片上形成绝缘层。绝缘层的一部分通过LDA而去除来暴露半导体管芯的有源表面的一部分。在半导体管芯的有源表面上的接触盘上形成第一导电层。使半导体晶片单个化来将半导体管芯分开。半导体管芯设置在载体上,其中半导体管芯的有源表面偏离该载体。密封剂沉积在半导体管芯和载体上来覆盖半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分。互连结构在第一导电层上形成。备选地,MUF材料沉积在半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分上。
搜索关键词: 半导体 装置 密封剂 沉积 嵌入式 wlcsp 中的 方法
【主权项】:
一种制作半导体装置的方法,包括:提供包括多个半导体管芯的半导体晶片;在所述半导体晶片上形成绝缘层;去除所述绝缘层的一部分以暴露所述半导体管芯的有源表面的一部分;使所述半导体晶片单个化以将所述半导体管芯分开;以及将密封剂沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的侧边以及所述半导体管芯的所述有源表面的暴露部分。
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