[发明专利]半导体装置和将密封剂沉积在嵌入式WLCSP中的方法在审
申请号: | 201310164479.8 | 申请日: | 2013-05-07 |
公开(公告)号: | CN103715108A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 林耀剑;H-P.维尔茨;尹胜煜;P.C.马里穆图 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 柯广华;朱海煜 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 半导体装置具有半导体晶片,其包括多个半导体管芯。在该半导体晶片上形成绝缘层。绝缘层的一部分通过LDA而去除来暴露半导体管芯的有源表面的一部分。在半导体管芯的有源表面上的接触盘上形成第一导电层。使半导体晶片单个化来将半导体管芯分开。半导体管芯设置在载体上,其中半导体管芯的有源表面偏离该载体。密封剂沉积在半导体管芯和载体上来覆盖半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分。互连结构在第一导电层上形成。备选地,MUF材料沉积在半导体管芯的侧边以及有源表面的暴露部分上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 密封剂 沉积 嵌入式 wlcsp 中的 方法 | ||
【主权项】:
一种制作半导体装置的方法,包括:提供包括多个半导体管芯的半导体晶片;在所述半导体晶片上形成绝缘层;去除所述绝缘层的一部分以暴露所述半导体管芯的有源表面的一部分;使所述半导体晶片单个化以将所述半导体管芯分开;以及将密封剂沉积在所述半导体管芯上以覆盖所述半导体管芯的侧边以及所述半导体管芯的所述有源表面的暴露部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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