[发明专利]防止硅衬底表面损伤的方法有效
| 申请号： | 201310165221.X | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103258732A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王恺;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种防止离子注入区域的硅表面损伤的方法，应用于离子注入工艺中，所述硅衬底的上表面覆盖一具有缺陷的保护层，所述方法包括：采用修复性溶液对所述保护层进行修复，以去除所述缺陷；对所述硅衬底继续进行所述离子注入工艺，以使所述保护层的厚度和致密度达到在所述离子注入工艺中对所述硅衬底进行保护的工艺要求。通过本发明方法对半导体器件中的保护层进行修复，使得保护层在经过多道的离子注入工艺后，仍然能够保持其具有满足工艺条件的致密度和厚度，进而在后续的离子注入工艺中能够有效保护其下方的硅层，防止离子注入区域的硅层的晶格损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 衬底 表面 损伤 方法 | ||
【主权项】：
一种防止硅衬底表面损伤的方法，应用于离子注入工艺中，所述硅衬底的上表面覆盖一具有缺陷的保护层，其特征在于，所述方法包括：采用修复性溶液对所述保护层进行修复，以去除所述缺陷；对所述硅衬底继续进行所述离子注入工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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