[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201310165226.2 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103257066A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈强;高林 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了TEM样品的制备方法，通过在制备TEM样品的过程中，在预备截面上沉积填充层，从而避免了当制作具有高深宽比结构或者孔洞结构的半导体结构的TEM样品时，由于金属保护层未能完全填充高深宽比结构或者孔洞结构，而导致未填满的孔洞边缘区域离子束切割过快造成TEM样品局部损伤的问题，克服了由于TEM样品的均匀性差，而影响TEM分析质量的问题，从而保证了TEM样品的均匀性，提高了TEM样品的分析质量，进而提高TEM观测的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，应用于一半导体衬底上，所述半导体衬底上形成有沟槽结构，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：于所述沟槽结构的上表面设置一TEM样品制备区域；在所述TEM样品制备区域沉积一保护层后，采用切割工艺制备TEM样品预备结构，同时于所述TEM样品预备结构上形成具有孔洞的预备截面；于所述预备截面上沉积填充层，并进行清理工艺，部分去除所述填充层后，形成TEM样品。
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