[发明专利]一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法无效
| 申请号： | 201310165347.7 | 申请日： | 2013-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN103293850A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陈谷然;王雯;任春江;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/38;G03F7/30;G03F7/20;G03F7/42 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，包括如下步骤：1）在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2；2）对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂；3）对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理；4）对光刻胶层2进行曝光；5）对光刻胶层2进行曝光后烘焙处理；6）对光刻胶层2进行显影，显影液为正性光刻胶显影液；7）对光刻胶层2进行显影后烘焙处理处理。优点：本发明获得开口具有鹰嘴型的光刻剖面图形，可防止蒸发过程中光刻胶表面层金属与光刻图形底部金属相连，有助于金属剥离。比采用多层胶实现金属剥离具有工艺来的简单，同时又比采用负性光刻胶具有更好的图形分辨率，可实现可小线宽的图形剥离工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 金属 剥离 单层 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于金属剥离的单层正性光刻胶光刻方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：1）在半导体基板1上涂覆正性光刻胶层2，光刻胶层2厚度为0.9‑2.0μm；2）对光刻胶层2进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂，温度70‑100℃，时间30‑60秒；3）对光刻胶层2进行正性光刻胶显影液处理，处理时间在40秒‑600秒之间；4）对光刻胶层2进行曝光，曝光剂量依光刻胶种类、胶厚而定，若以i线正性光刻胶AZ7908为例，则胶厚在0.9‑2.0μm，曝光剂量在250‑450mJ/cm2,曝光焦距在0.0‑1.0；5）对光刻胶层2进行曝光后烘焙处理，温度120℃‑140℃，时间60秒‑120秒；6）对光刻胶层2进行显影，显影液为正性光刻胶显影液，时间60秒‑90秒；7）对光刻胶层2进行显影后烘焙处理处理，温度110℃‑120℃，时间90秒‑180秒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310165347.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种星地激光时间比对系统
- 下一篇：日夜切换相机后焦距不一致的补偿方法
