[发明专利]一种用于锗硅外延生长的反应室、方法及半导体制造设备有效
| 申请号： | 201310165713.9 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104141169A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于锗硅外延生长的反应室、方法及半导体制造设备，涉及半导体技术领域。本发明提供的用于锗硅外延生长的反应室包括：反应腔体；设置于所述反应腔体内部的位置可调的支撑平台；其中，所述反应腔体被分成至少两个不同的反应区域，每个所述反应区域均相应设置有加热器，以保证在进行锗硅外延生长时在不同的所述反应区域形成不同的反应温度；所述支撑平台用于支撑和固定进行锗硅外延生长的晶圆，其可以被调节至任何一个所述反应区域。该反应室可以使晶圆在每个反应阶段被快速调节至具有所需温度的区域，提高了锗硅外延生长的效率。本发明的半导体制造设备以及用于锗硅外延生长的方法，使用了上述的反应室，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 外延 生长 反应 方法 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
一种用于锗硅外延生长的反应室，其特征在于，所述反应室包括：反应腔体；设置于所述反应腔体内部的位置可调的支撑平台；其中，所述反应腔体被分成至少两个不同的反应区域，每个所述反应区域均相应设置有加热器，以保证在进行锗硅外延生长时在不同的所述反应区域形成不同的反应温度；所述支撑平台用于支撑和固定进行锗硅外延生长的晶圆，其可以被调节至任何一个所述反应区域。
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